加入日期
2017年07月13日
所屬地區(qū)
山西省
進展階段
環(huán)評公示
正文內(nèi)容
項目名稱：第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目
項目概況：第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目，建設地點位于中國電子科技集團公司第二研究所現(xiàn)有廠區(qū) 內(nèi)，利用現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3 層、4 層布置 SiC 粉料 合成、晶體生長生產(chǎn)線；同時，利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房布置 SiC 設備生產(chǎn)線。項目建設不新增二所占地面積。年產(chǎn) 100 臺（套）SiC 關鍵設備（SiC 單晶生長爐）；年產(chǎn)高 純 SiC 粉料 10 噸；年產(chǎn) 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 5 萬片；年 產(chǎn) 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 1 萬片。工程投資 46760 萬元， 職工人數(shù) 52 人。本項目預計 2017 年 8 月開工，在 2018 年 6 月投產(chǎn)。
本項目主要建設內(nèi)容一覽表
項目組成 內(nèi)容、規(guī)模 備注
主體工程
SiC 設備生產(chǎn)線
本項目擬利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房（占地 6660m2），本項目僅新
增立式、臥式加工中心等 20 余臺套設備，其余機加工設備為產(chǎn)
品制造部搬至生產(chǎn)保障廠房，本項目設備布置在生產(chǎn)保障廠房
內(nèi)的設備裝調(diào)區(qū)，以實現(xiàn) SiC 設備加工、部件組裝、調(diào)試的連
續(xù)化生產(chǎn)線。 依托現(xiàn)
有廠房，新增設
SiC 粉料合 施設備
成、晶體生長生產(chǎn)線
依托現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3、4 層廠房（單層建筑面積
1500m2，合計占地面積 3000m2）布置 SiC 粉料合成、晶體生長
生產(chǎn)線。按功能分為粉料合成區(qū)、晶體生長區(qū)、擴展實驗區(qū)和
材料儲備區(qū)等，其中粉料合成區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 30 臺；
晶體生長區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 70 臺以及晶體切割、研磨、
清洗加工設備；擴展實驗區(qū)主要布置相關測試儀器，對產(chǎn)品 SiC
粉料、SiC 單晶襯底晶體性能進行檢驗；材料儲備區(qū)主要作為原
輔料、產(chǎn)品儲存使用。
輔助工程
純水制備
新建 1 套 1.0m3/h 高純水制備系統(tǒng)，采用反滲透工藝，布置在 4#
研發(fā)檢測中心 3 層輔助區(qū)。新建
循環(huán)冷卻水系統(tǒng)
新建 1 套 15m3/h 循環(huán)冷卻水系統(tǒng)（含 1 臺機力通風冷卻塔和 3
臺循環(huán)水泵），循環(huán)水量 18m3/h，冷卻水進口溫度 28℃，出口
溫度 35℃。冷卻塔布置在研發(fā)檢測中心北側(cè)。新建
空壓機房
利用空壓站現(xiàn)有 2 臺無油旋齒空氣壓縮機及配套的冷凍式干燥
機，過濾器和儲氣罐，可滿足本項目使用需求。利舊
通風空調(diào)
各廠房設通風系統(tǒng)，換氣次數(shù)約 6～10 次/小時。此外，研發(fā)中
心廠房新建 1 套中央空調(diào)，空調(diào)參數(shù)≤28°C，空調(diào)冷卻水循環(huán)
同本工程循環(huán)冷卻水系統(tǒng)共用，循環(huán)水泵為 2 臺管道離心泵。新建
環(huán)保工程
廢氣
處理設施
在研發(fā)檢測中心 3 層晶體加工區(qū)的硫酸、氫氟酸和乙醇清洗槽上方
設一套集氣罩（捕集效果為 100%），清洗槽揮發(fā)廢氣經(jīng)集氣罩和
負壓抽風管道至 1 座新建的酸霧吸收塔處理（吸收劑為 NaOH）。
吸收塔對氫氟酸和硫酸霧的去除效率為 90%，凈化后的廢氣通過
一根 15m 高的排氣筒排放，系統(tǒng)處理風量為 2000m3/h。新建
廢水處理設施
本項目 SiC 晶體清洗廢水、酸霧吸收塔廢水送 1 座新建廢水處理站
處理。廢水處理站設計能力 16m3/d，采用 PH 調(diào)節(jié)池+Ca（OH）2
中和+絮凝沉淀處理工藝，處理后的廢水達標排入市政污水管網(wǎng)。新建
危廢暫存間
依托二所現(xiàn)有危廢暫存間，對本項目產(chǎn)生的危險廢物進行分類
收集儲存，并委托有資質(zhì)單位妥善處置。利舊
依托工程
辦公生活 本項目辦公、生活設施均依托現(xiàn)有工程設施。利舊
供電 依托廠區(qū)現(xiàn)有的變電室，本項目新增配電設施。
供暖 利用廠區(qū)現(xiàn)有集中供熱管網(wǎng)接入。
供水 依托和平南路市政供水管網(wǎng)。
排水
依托廠區(qū)現(xiàn)有的污水收集管道，處理后的廢水排入和平南路市
政污水管網(wǎng)，最終進入晉陽污水處理廠處理。
本工程主要生產(chǎn)設備一覽表
序號 車間 生產(chǎn)工序 設備名稱 型號及參數(shù)數(shù)量（臺/套）備注
1生產(chǎn)保障廠房
機加工及設備組裝
移動式數(shù)控平面磨床 SG4080NC2 1 新增
2 立式加工中心 MXR-460V 4 新增
3 數(shù)控車床 GS200/66plus 1 新增
4 立式數(shù)控車床 MTS600L 1 新增
5 數(shù)控車床 QSM300/1500 1 新增
6 臥式加工中心 MAR-630H 1 新增
7 立式加工中心 MXR-560V 1 新增
8 加工中心 VTC-200BN 4 新增
9 車削加工中心 GS200M 1 新增
10 龍門加工中心 GMC1530r1 1 新增
11 高速精密車床 HPL 2 新增
12 普通數(shù)顯車床 BJ1630GD 1 新增
13 普通數(shù)顯車床 J1CX616 1 新增
14 數(shù)控板料折彎機 PBB-110/3100 1 利用
產(chǎn)品制造部現(xiàn)有設備
15 數(shù)控閘式剪板機 LGK-13X2500 1
16 激光切割機 FOM23015NT 1
17 交流弧焊機 KC-5005 1
18 氬弧焊機 WSE-315 1
19 氬弧焊機 WS300S 1
20研發(fā)檢測中心(3 層/4 層)粉料合成 SiC 單晶生長爐 非標自制 30 新增
21晶體生長SiC 單晶生長爐 非標自制 70 新增
22 快速升溫熱處理爐 1700℃；10℃/s 3 新增
23 晶體退火爐真空度：<1x10^-2Pa，退火溫度：>1200 度3 新增
24晶體加工切割
金剛石多線切割機
MWS-612DR，速度1000m/min 1 新增
25 晶圓綁定機EVG 560HBL；溫度>600℃；1 新增
26 晶體滾圓機Scc-150, 精度：±0.1mm2 新增
27 倒角機外圓磨削線速度：2500m/min1 新增
28 研磨雙面研磨機Usp-22b，最大 6 英寸2 新增
29 端面研磨機 Scy-150，2-6 英寸 2 新增
30 拋光雙面拋光機 Usp-20bp，6 英寸 2 新增
31 化學機械拋光機 Srpm-19a，55rpm 2 新增
32清洗
晶圓清洗機
日本 SCC,SWS-1000
水流量 1.5L/min；氮
氣烘干溫度：300℃1 新增
33 雙面刷片清洗 日本 SCC, SWS-200 3 新增
34 全自動甩干機 2500rpm 2 新增
35實驗檢驗
全自動晶片定向儀 型號:2991F2 1 新增
36 自動表面缺陷分析系統(tǒng) CANDELA CS20 1 新增
37 表面顆粒度測試儀 Surfscan 6420 1 新增
38 表面電阻率測試儀 LEI1510RP 1 新增
39 體式顯微鏡 Leica M205 A 型 1 新增
40 平坦度測試儀 FM-200 1 新增
本項目主要經(jīng)濟技術指標表
序號 指 標 單位 數(shù)量 備注
1 產(chǎn)品方案
1.1 SiC 關鍵設備 臺/a 100
1.2 高純 SiC 粉料 t/a 15 產(chǎn)品 10t/a，自用 5t/a
1.3 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 片/a 50000
1.4 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 片/a 10000
2 主要原料消耗指標
2.1 鋼材 t/a 1300 機加年用量
2.2 碳粉 t/a 5.2 純度>99.999%
2.3 硅粉 t/a 11.0 純度>99.999%
2.4 籽晶 6 寸 N 型 1200 片/a
2.5 籽晶 4 寸 N 型 500 片/a
3 主要輔料消耗指標
3.1 石墨坩堝 套 920 用于粉料合成、晶體生長
3.2 高純氬氣 瓶/a 800 50L 鋼瓶
3.3 高純氫氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶
3.4 高純氮氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶
3.5 保溫材料 套 400 高純石墨氈
3.6 金剛石單晶微粉 t/a 2.4 1μm
3.7 金剛石多晶微粉 t/a 1.5 1μm
3.8 粗拋光布 片/a 3000
3.9 精拋光布 片/a 100
3.10 拋光游星輪 片/a 3000
3.11 吸附墊 片/a 3000
3.12 晶圓盒 盒/a 60000 4 寸，6 寸
3.13 金剛石粉 Kg/a 750
3.14 MOS 硫酸 L/a 2400 15L/槽，1~2d 更換 1 槽
3.15 MOS 氫氟酸 L/a 160 1L/槽，1~2d 更換 1 槽
3.16 MOS 無水乙醇 L/a 1600 10L/槽，1~2d 更換 1 槽
3.17 拋光液 L/a 54000
3.18 金剛石切割線 km/a 21000 線徑 0.25mm
4 總投資 萬元 46760
4.1 環(huán)保投資 萬元 81.5
5 全廠定員 人 52 現(xiàn)有職工抽調(diào)解決
建設單位：中國電子科技集團公司第二研究所
| 加入日期 | 2017年07月13日 | 所屬地區(qū) | 山西省 | 進展階段 | 環(huán)評公示 |
|---|
正文內(nèi)容
項目概況：第二研究所新建SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化項目，建設地點位于中國電子科技集團公司第二研究所現(xiàn)有廠區(qū) 內(nèi)，利用現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3 層、4 層布置 SiC 粉料 合成、晶體生長生產(chǎn)線；同時，利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房布置 SiC 設備生產(chǎn)線。項目建設不新增二所占地面積。年產(chǎn) 100 臺（套）SiC 關鍵設備（SiC 單晶生長爐）；年產(chǎn)高 純 SiC 粉料 10 噸；年產(chǎn) 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 5 萬片；年 產(chǎn) 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 1 萬片。工程投資 46760 萬元， 職工人數(shù) 52 人。本項目預計 2017 年 8 月開工，在 2018 年 6 月投產(chǎn)。
本項目主要建設內(nèi)容一覽表
項目組成 內(nèi)容、規(guī)模 備注
主體工程
SiC 設備生產(chǎn)線
本項目擬利用現(xiàn)有生產(chǎn)保障廠房（占地 6660m2），本項目僅新
增立式、臥式加工中心等 20 余臺套設備，其余機加工設備為產(chǎn)
品制造部搬至生產(chǎn)保障廠房，本項目設備布置在生產(chǎn)保障廠房
內(nèi)的設備裝調(diào)區(qū)，以實現(xiàn) SiC 設備加工、部件組裝、調(diào)試的連
續(xù)化生產(chǎn)線。 依托現(xiàn)
有廠房，新增設
SiC 粉料合 施設備
成、晶體生長生產(chǎn)線
依托現(xiàn)有 4#研發(fā)檢測中心大樓 3、4 層廠房（單層建筑面積
1500m2，合計占地面積 3000m2）布置 SiC 粉料合成、晶體生長
生產(chǎn)線。按功能分為粉料合成區(qū)、晶體生長區(qū)、擴展實驗區(qū)和
材料儲備區(qū)等，其中粉料合成區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 30 臺；
晶體生長區(qū)主要布置 SiC 單晶生長爐 70 臺以及晶體切割、研磨、
清洗加工設備；擴展實驗區(qū)主要布置相關測試儀器，對產(chǎn)品 SiC
粉料、SiC 單晶襯底晶體性能進行檢驗；材料儲備區(qū)主要作為原
輔料、產(chǎn)品儲存使用。
輔助工程
純水制備
新建 1 套 1.0m3/h 高純水制備系統(tǒng)，采用反滲透工藝，布置在 4#
研發(fā)檢測中心 3 層輔助區(qū)。新建
循環(huán)冷卻水系統(tǒng)
新建 1 套 15m3/h 循環(huán)冷卻水系統(tǒng)（含 1 臺機力通風冷卻塔和 3
臺循環(huán)水泵），循環(huán)水量 18m3/h，冷卻水進口溫度 28℃，出口
溫度 35℃。冷卻塔布置在研發(fā)檢測中心北側(cè)。新建
空壓機房
利用空壓站現(xiàn)有 2 臺無油旋齒空氣壓縮機及配套的冷凍式干燥
機，過濾器和儲氣罐，可滿足本項目使用需求。利舊
通風空調(diào)
各廠房設通風系統(tǒng)，換氣次數(shù)約 6～10 次/小時。此外，研發(fā)中
心廠房新建 1 套中央空調(diào)，空調(diào)參數(shù)≤28°C，空調(diào)冷卻水循環(huán)
同本工程循環(huán)冷卻水系統(tǒng)共用，循環(huán)水泵為 2 臺管道離心泵。新建
環(huán)保工程
廢氣
處理設施
在研發(fā)檢測中心 3 層晶體加工區(qū)的硫酸、氫氟酸和乙醇清洗槽上方
設一套集氣罩（捕集效果為 100%），清洗槽揮發(fā)廢氣經(jīng)集氣罩和
負壓抽風管道至 1 座新建的酸霧吸收塔處理（吸收劑為 NaOH）。
吸收塔對氫氟酸和硫酸霧的去除效率為 90%，凈化后的廢氣通過
一根 15m 高的排氣筒排放，系統(tǒng)處理風量為 2000m3/h。新建
廢水處理設施
本項目 SiC 晶體清洗廢水、酸霧吸收塔廢水送 1 座新建廢水處理站
處理。廢水處理站設計能力 16m3/d，采用 PH 調(diào)節(jié)池+Ca（OH）2
中和+絮凝沉淀處理工藝，處理后的廢水達標排入市政污水管網(wǎng)。新建
危廢暫存間
依托二所現(xiàn)有危廢暫存間，對本項目產(chǎn)生的危險廢物進行分類
收集儲存，并委托有資質(zhì)單位妥善處置。利舊
依托工程
辦公生活 本項目辦公、生活設施均依托現(xiàn)有工程設施。利舊
供電 依托廠區(qū)現(xiàn)有的變電室，本項目新增配電設施。
供暖 利用廠區(qū)現(xiàn)有集中供熱管網(wǎng)接入。
供水 依托和平南路市政供水管網(wǎng)。
排水
依托廠區(qū)現(xiàn)有的污水收集管道，處理后的廢水排入和平南路市
政污水管網(wǎng)，最終進入晉陽污水處理廠處理。
本工程主要生產(chǎn)設備一覽表
序號 車間 生產(chǎn)工序 設備名稱 型號及參數(shù)數(shù)量（臺/套）備注
1生產(chǎn)保障廠房
機加工及設備組裝
移動式數(shù)控平面磨床 SG4080NC2 1 新增
2 立式加工中心 MXR-460V 4 新增
3 數(shù)控車床 GS200/66plus 1 新增
4 立式數(shù)控車床 MTS600L 1 新增
5 數(shù)控車床 QSM300/1500 1 新增
6 臥式加工中心 MAR-630H 1 新增
7 立式加工中心 MXR-560V 1 新增
8 加工中心 VTC-200BN 4 新增
9 車削加工中心 GS200M 1 新增
10 龍門加工中心 GMC1530r1 1 新增
11 高速精密車床 HPL 2 新增
12 普通數(shù)顯車床 BJ1630GD 1 新增
13 普通數(shù)顯車床 J1CX616 1 新增
14 數(shù)控板料折彎機 PBB-110/3100 1 利用
產(chǎn)品制造部現(xiàn)有設備
15 數(shù)控閘式剪板機 LGK-13X2500 1
16 激光切割機 FOM23015NT 1
17 交流弧焊機 KC-5005 1
18 氬弧焊機 WSE-315 1
19 氬弧焊機 WS300S 1
20研發(fā)檢測中心(3 層/4 層)粉料合成 SiC 單晶生長爐 非標自制 30 新增
21晶體生長SiC 單晶生長爐 非標自制 70 新增
22 快速升溫熱處理爐 1700℃；10℃/s 3 新增
23 晶體退火爐真空度：<1x10^-2Pa，退火溫度：>1200 度3 新增
24晶體加工切割
金剛石多線切割機
MWS-612DR，速度1000m/min 1 新增
25 晶圓綁定機EVG 560HBL；溫度>600℃；1 新增
26 晶體滾圓機Scc-150, 精度：±0.1mm2 新增
27 倒角機外圓磨削線速度：2500m/min1 新增
28 研磨雙面研磨機Usp-22b，最大 6 英寸2 新增
29 端面研磨機 Scy-150，2-6 英寸 2 新增
30 拋光雙面拋光機 Usp-20bp，6 英寸 2 新增
31 化學機械拋光機 Srpm-19a，55rpm 2 新增
32清洗
晶圓清洗機
日本 SCC,SWS-1000
水流量 1.5L/min；氮
氣烘干溫度：300℃1 新增
33 雙面刷片清洗 日本 SCC, SWS-200 3 新增
34 全自動甩干機 2500rpm 2 新增
35實驗檢驗
全自動晶片定向儀 型號:2991F2 1 新增
36 自動表面缺陷分析系統(tǒng) CANDELA CS20 1 新增
37 表面顆粒度測試儀 Surfscan 6420 1 新增
38 表面電阻率測試儀 LEI1510RP 1 新增
39 體式顯微鏡 Leica M205 A 型 1 新增
40 平坦度測試儀 FM-200 1 新增
本項目主要經(jīng)濟技術指標表
序號 指 標 單位 數(shù)量 備注
1 產(chǎn)品方案
1.1 SiC 關鍵設備 臺/a 100
1.2 高純 SiC 粉料 t/a 15 產(chǎn)品 10t/a，自用 5t/a
1.3 6 英寸 N 型 SiC 單晶襯底 片/a 50000
1.4 4 英寸高純半絕緣 SiC 單晶襯底 片/a 10000
2 主要原料消耗指標
2.1 鋼材 t/a 1300 機加年用量
2.2 碳粉 t/a 5.2 純度>99.999%
2.3 硅粉 t/a 11.0 純度>99.999%
2.4 籽晶 6 寸 N 型 1200 片/a
2.5 籽晶 4 寸 N 型 500 片/a
3 主要輔料消耗指標
3.1 石墨坩堝 套 920 用于粉料合成、晶體生長
3.2 高純氬氣 瓶/a 800 50L 鋼瓶
3.3 高純氫氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶
3.4 高純氮氣 瓶/a 50 50L 鋼瓶
3.5 保溫材料 套 400 高純石墨氈
3.6 金剛石單晶微粉 t/a 2.4 1μm
3.7 金剛石多晶微粉 t/a 1.5 1μm
3.8 粗拋光布 片/a 3000
3.9 精拋光布 片/a 100
3.10 拋光游星輪 片/a 3000
3.11 吸附墊 片/a 3000
3.12 晶圓盒 盒/a 60000 4 寸，6 寸
3.13 金剛石粉 Kg/a 750
3.14 MOS 硫酸 L/a 2400 15L/槽，1~2d 更換 1 槽
3.15 MOS 氫氟酸 L/a 160 1L/槽，1~2d 更換 1 槽
3.16 MOS 無水乙醇 L/a 1600 10L/槽，1~2d 更換 1 槽
3.17 拋光液 L/a 54000
3.18 金剛石切割線 km/a 21000 線徑 0.25mm
4 總投資 萬元 46760
4.1 環(huán)保投資 萬元 81.5
5 全廠定員 人 52 現(xiàn)有職工抽調(diào)解決
建設單位：中國電子科技集團公司第二研究所
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